日本半导体设备出口管制新规解读
2023年3月31日，日本经济产业省（The Ministry of Economy, Trade and Industry, METI）宣布对《对<出口贸易管理令>附表一及<外汇令>附表指定的货物或技术进行规定的省令》中规定的管制物项范围进行调整，对高端半导体设备适用更严格的出口管制措施。根据新规，6类（23种）芯片制造设备出口至包括美国、新加坡、中国台湾在内的42个国家和地区时可适用一般概括出口许可，出口至包括中国在内的全球其他国家和地区时则适用特定概括出口许可或者逐案审查。新规于3月31日起公布并征求公众意见，将于5月正式发布，并于7月开始实施。
一、新规内容
本次新规涉及的6类芯片制造设备（清洗设备、薄膜沉积设备、退火设备、光刻设备、刻蚀设备、检查设备）按用于计算的逻辑半导体性能来看，大部分为制造制程在14纳米以下的尖端产品所必需的设备，即用于14纳米以上成熟制程芯片的制造设备将不在本次受控范围内。23种新增制造设备详见下表。
序号 | 新增设备类型描述 |
1 | 制造薄膜的设备（限于为使用极紫外线制造集成电路的设备而特别设计的设备） |
2 | 处理晶圆的采用步进重复式或步进扫描式的光刻机，满足特定参数性能 |
3 | 设计用于对使用极紫外线制造集成电路的设备专用的调合后的抗蚀剂进行涂布、成膜、加热或显影的设备 |
4 | 设计用于干法刻蚀的设备，且满足特定参数性能 |
5 | 设计用于湿法刻蚀的设备，且满足特定参数性能 |
6 | 设计用于各向异性干法刻蚀的设备，且满足特定参数性能 |
7 | 半导体制造设备中的成膜设备，满足十项特定参数性能之一 |
8 | 设计用于在特定真空状态或惰性环境中形成膜层，且满足特定参数性能的设备 |
9 | 设计用于在特定真空状态或惰性环境中形成膜层，且满足特定参数性能（与上一项参数性能不同）的设备 |
10 | 满足特定参数性能，使用有机金属化合物形成钌膜层的设备 |
11 | 满足特定参数性能的空间原子层沉积设备 |
12 | 在特定温度下成膜的设备，或通过特定方式成膜的设备，且满足特定参数性能 |
13 | 设计用于掩膜（仅限为利用极紫外线制造集成电路的设备使用而特别设计的掩膜）的，通过特定方式形成多层反射膜的设备 |
14 | 设计用于硅（包括添加了碳的硅）或硅锗（包括添加了碳的硅锗）的外延生长的设备，且满足特定参数性能 |
15 | 设计用于通过等离子体形成特定碳硬掩模的设备 |
16 | 设计用于通过特定方式形成特定钨膜层的设备 |
17 | 设计用于通过特定方式形成特定低介电层，使之不留空隙的设备 |
18 | 在特定真空状态下工作的退火设备，且满足特定参数性能 |
19 | 设计用于在特定真空状态下除去高分子残留及铜氧化膜，以进行铜的成膜的设备 |
20 | 具有多个腔体，设计用于通过干式工艺除去表面氧化物进行前处理的设备，或者设计用于通过干式工艺除去表面污染物的设备 |
21 | 具有晶圆表面改性后进行干燥的工艺的枚叶式湿式清洗设备 |
22 | 为对使用极紫外线制造集成电路的设备的掩膜板，或该设备的带图形的掩膜进行检查而设计的设备 |
23 | 为使用极紫外线制造集成电路的设备而特别设计的薄膜 |
在申请许可证类型方面，根据征求意见稿，上述设备出口至中国大陆、香港和澳门地区时，无法适用向具体国家和地区出口的一般概括出口许可或特别一般概括出口许可，只能申请向具体最终用户出口的特定概括出口许可，或是申请针对单次交易的个别出口许可。与出口至包括美国、韩国、中国台湾等42个国家或地区所适用的一般概括出口许可或特别一般概括出口许可相比，特定概括许可在审核程序和文件要求等方面明显更为严格。但上述区别仅限于“使用”新增设备的相关物项出口，如果是与“设计和制造”相关技术的物项出口，所有国家和地区均只能适用特定概括出口许可或个别出口许可。
在文件要求方面，申请特定概括出口许可需要额外提交证明最终用户存在及其业务内容的文件，以及最终用户的承诺函等。日本经济产业省的相关部门，具体包括日本经济产业省贸易经济协力局安全贸易保障审查课，或者日本各地区的经济产业局，对最终用途和最终用户进行全面审核后，由经济产业大臣颁发出口许可证。
二、新规影响
2022年10月7日，美国商务部工业和安全局（BIS）发布了先进计算及半导体新规，对中国先进半导体产品、软件、技术实施更加严格的出口管制措施。美国在此后一直试图游说荷兰、日本等半导体制造设备出口大国共同遏制中国获取先进半导体生产设备，希望以此来抑制中国半导体产业及先进计算工业的发展。荷兰政府此前已于今年3月8日表示，将出台芯片技术出口新规以保护国家安全。
日本在全球半导体产业链上扮演着非常重要的角色，尤其在原材料以及设备零部件方面具有重要的地位。本次新规的出台无疑会对全球半导体供应链造成实质影响。虽然日本政府强调此次修改不是对美国芯片出口管制措施的协调与附和，也不针对特定国家，而是为了阻止先进技术被用于军事目的，但日本此次对出口管制规则的修改事实上呼应了美国去年的新规，将对中国先进制程的半导体生产制造活动造成一定影响。此外，除与荷兰、日本建立起半导体出口多边管制机制，美国仍期待韩国以及欧盟加入，共同遏制中国半导体工业的发展。可以预料的是，未来半导体出口多边管制机制的参与国将会逐渐增多，而中国半导体行业将在各国的“围追堵截”中面临更大的发展困境。
三、对策建议
（一）调整供应链
首先应当确认所需物项是否已被列入相应的管制清单，并判断获取物项时的出口许可证类型。对于确认列入的物项，可以考虑在上述修订规则生效前提前采购并制定供应链替代方案，并将其纳入整体经营战略考量。从短期来看，可以考虑从中国台湾、韩国、德国、新加坡等其他国家和地区获得替代产品。鉴于以美国为首的半导体出口多边管制机制或将继续扩张，从上述国家和地区获取先进半导体制造设备的渠道也可能被逐步封锁，从长期来看，建议在国内寻找替代厂商及设备。
当然，也可以考虑与相关日本厂商进行沟通，了解他们是否设立有海外工厂，如有可以向海外工厂购买，由于该海外设备并非由日本原产，或将可以规避日本出口管制法律的管辖。
（二）关注许可证申请
建议对照新增物项的具体管控要求，检查并确认拟进口物项是否在调整的范围内，提前梳理相关许可证要求，并与日本出口商事先沟通，做好准备。待本次新规正式实施后，可视情况要求日本出口商根据相关法规尽早申请许可证，尽量降低对实际业务的影响。
日本现行的贸易管理与出口管制制度，主要是防止出口物项被用于大规模杀伤性武器等或者常规武器的开发。在清单管制之外，对于即使不属于清单管制的物项，如果有被用于大规模杀伤性武器等或者常规武器的开发等的风险时，也需要取得经济产业大臣的许可。根据征求意见稿，本次新规修订的宗旨和目的也是“为防止转用于军事用途”。
因此，为配合日本出口商后续开展的许可证申请流程，中国企业应建立起相应的出口管制合规机制，开展充分的尽职调查等合规工作，准备并收集最终用途及最终用户相关的合规证明文件，以备许可证申请使用。